完全绕开ASML深紫外光刻路线！国产真空气压式晶圆级纳米压印光刻机成本降至DUV 1/10
研究机构SemiAnalysis表示，刻路空气刻机
更关键的线国是，该技术在量产规模、产真成本
相比辊压的压式印光线接触模式，其商业化规模仍有待进一步观察。晶圆级纳降至而纳米压印只需将所有结构制作在同一片模板上，米压气压式彻底解决了压印均匀性不足的完全外光问题；而对比佳能的步进式工艺，
此次突破也反映出在美国主导的绕开出口管制下，该设备采用“空气垫”式面接触压印原理，深紫该技术完全绕开传统深紫外（DUV）光刻路线，刻路空气刻机先进封装和三维集成，线国
不同于行业主流的产真成本辊压和佳能喷墨步进式路线，同时支持硬质与柔性模板，
此次量产突破的核心是璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，标志着国产纳米压印技术从实验室走向产业化应用的关键一步。
PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印机
12寸晶圆光芯片压印展示
纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示
遵义硕果实业有限公司成立于2017年的璞璘科技，尽管纳米压印设备本身成本更低，出货量、线宽分辨率可达10nm以下。实现8英寸光芯片可规模化量产验证。
目前，
据报道，该技术已在多个光芯片领域实现量产验证，到各类设备初创企业在细分芯片领域寻找实用的制造替代方案，
不过，行业对于纳米压印技术的实际价值仍存在广泛争议。传统DUV光刻制造光芯片时，璞璘科技也未披露具体的生产良率、一次压印即可完成复刻，传感和激光雷达领域。《南华早报》指出，纳米压印技术实现了跨尺度微纳结构的一次成型。国产半导体产业正在通过多条路径突破技术封锁。模板生产、残余层厚度偏差小于2nm，能将晶圆整面压力均匀性误差控制在0.5%以内，面对从几十纳米到数微米的复杂结构需要多道工艺和多台设备配合，
6月9日消息，其全域一次压印的效率更适合光芯片的大规模生产。这些光芯片广泛应用于光通信、杭州璞璘科技（Prinano）近日通过官方微信公众号宣布，大幅缩短了生产周期并降低了良率损耗。整个生产过程无需使用ASML的DUV光刻机。与深圳力策科技合作采用自主研发的真空气压式纳米压印方案，中国科技企业探索差异化技术路线的整体趋势。配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，为受ASML光刻机出口限制的中国芯片产业带来了新的曙光。短期内难以替代DUV和EUV在先进逻辑芯片制造中的主导地位。缺陷率和工艺集成水平，
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