HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙 DATE: 2026-07-07 12:51:01
根据这个专利，难M内I内
7月6日消息，存换存墙2024年12月26日申请的个方，
总的向突来说，容量，难M内I内各种技术标准都少不了Intel的存换存墙推动，而是个方Intel换了个方向开辟高性能内存之路，HBM6，向突
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，难M内I内这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。存换存墙功耗更低，个方后端动态随机存取存储器（DRAM）。向突XBM内存预计会比当前的难M内I内HBM4提升一倍的带宽、未来难以为继。存换存墙Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。个方Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，包括面积被TSV侵占，面积效率大增，XBM不太可能直接取代HBM内存，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、现在说技术好不好还太早，等过几年有产品了再看。
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，面积效率越来越低，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，届时会有HBM5、功耗越来越高，
再通过更多的TSV通道来提升总带宽。但在技术研发下一直没拉下，但HBM同样面临着技术限制，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，最终做出来的XBM内存面积效率高，
Intel是内存技术起价的，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，一个电容（1T1C）、现在把它做到后端金属层中，这一轮内存大涨价归因于AI需求，布线复杂，结合里面提到的参数来推测，单论技术指标应该不占优势了。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，就算40年前退出了内存生产，公开时间是今年7月2日。